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- 制造厂商:美高森美
- 类别封装:单路IGBT,TO-264
- 技术参数:IGBT 600V 155A 536W TO264
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APT75GN60LDQ3G 技术参数详情:
- Microsemi美高森美完整型号:APT75GN60LDQ3G
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:IGBT 600V 155A 536W TO264
- 系列:-
- IGBT 类型:沟道和场截止
- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):155A
- Current - Collector Pulsed (Icm):225A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.85V @ 15V,75A
- 功率 - 最大值:536W
- Switching Energy:2500μJ (开), 2140μJ (关)
- 输入类型:标准
- Gate Charge:485nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:47ns/385ns
- Test Condition:400V, 75A, 1 欧姆, 15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-264 [L]
- APT75GN60LDQ3G优势代理货源,国内领先的美高森美芯片采购服务平台。
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