- 制造厂商:美高森美
- 类别封装:IGBT模块,ISOTOP
- 技术参数:IGBT 1200V 128A 543W SOT227
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APT75GP120J 技术参数详情:
- Microsemi美高森美完整型号:APT75GP120J
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:IGBT 1200V 128A 543W SOT227
- 系列:POWER MOS 7
- IGBT 类型:PT
- 配置:单一
- 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):128A
- 功率 - 最大值:543W
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3.9V @ 15V,75A
- 电流 - 集电极截止(最大值):1mA
- 不同 Vce 时的输入电容 (Cies):7.04nF @ 25V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:无
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:ISOTOP
- 供应商器件封装:ISOTOP
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