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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：场效应管模块，ISOTOP
- 技术参数：MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
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APT80M60J 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APT80M60J
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
- 系列：POWER MOS 8?
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：600V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：84A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：55 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：600nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：24000pF @ 25V
- 功率 - 最大值：960W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商器件封装：ISOTOP
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