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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：单路IGBT，T-MAX
- 技术参数：IGBT 650V 208A 892W T-MAX
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APT95GR65B2 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APT95GR65B2
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 650V 208A 892W T-MAX
- 系列：-
- IGBT 类型：NPT
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：208A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：400A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.4V @ 15V，95A
- 功率 - 最大值：892W
- Switching Energy：3.12mJ （开）， 2.55mJ （关）
- 输入类型：标准
- Gate Charge：420nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：29ns/226ns
- Test Condition：433V， 95A， 4.3 欧姆， 15V
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 封装/外壳：TO-247-3
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：T-MAX [B2]
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