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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：SOT-227-4，miniBLOC
- 技术参数：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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APT95GR65JDU60 技术参数详情：
- 制造商产品型号：APT95GR65JDU60
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- IGBT类型：NPT
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：135A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：380A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，95A
- 功率-最大值：446W
- 开关能量：-
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：420nC
- 25°C时Td（开/关）值：29ns/226ns
- 测试条件：433V，95A，4.3 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：SOT-227-4，miniBLOC
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