- 制造厂商:美高森美
- 类别封装:场效应管模块,SP1
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
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APTC60AM35T1G 技术参数详情:
- Microsemi美高森美完整型号:APTC60AM35T1G
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
- 系列:-
- FET 类型:2 个 N 通道(半桥)
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):600V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):72A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):35 毫欧 @ 72A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):518nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14000pF @ 25V
- 功率 - 最大值:416W
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SP1
- 供应商器件封装:SP1
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