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  • 制造厂商:美高森美
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:SP1
  • 技术参数:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
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APTC60AM83BC1G 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:APTC60AM83BC1G
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:CoolMOS?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路)
  • FET功能:超级结
  • 漏源电压(Vdss):600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):36A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):83 毫欧 @ 24.5A、 10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 3mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):250nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):7200pF @ 25V
  • 功率-最大值:250W
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:SP1
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