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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP1
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
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APTC60DSKM45T1G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：APTC60DSKM45T1G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：CoolMOS?
- 零件状态：停产
- FET类型：2 N 沟道（双路降压斩波器）
- FET功能：超级结
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：49A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 24.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 3mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：150nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7200pF @ 25V
- 功率-最大值：250W
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：SP1
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