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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP1
- 技术参数：MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
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APTC80H29T1G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：APTC80H29T1G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：4 个 N 通道（H 桥）
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：800V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：290 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：90nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2254pF @ 25V
- 功率-最大值：156W
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：SP1
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