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- 制造厂商:美高森美
- 类别封装:场效应管模块,SP6-P
- 技术参数:MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P
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APTC80TA15PG 技术参数详情:
- Microsemi美高森美完整型号:APTC80TA15PG
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P
- 系列:-
- FET 类型:6 N-沟道(3 相桥)
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):800V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):28A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):150 毫欧 @ 14A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):180nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4507pF @ 25V
- 功率 - 最大值:277W
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SP6
- 供应商器件封装:SP6-P
- APTC80TA15PG优势代理货源,国内领先的美高森美芯片采购服务平台。
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