- 制造厂商:美高森美
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:SP1
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
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APTC90DSK12T1G 技术参数详情:
- 制造商产品型号:APTC90DSK12T1G
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:CoolMOS?
- 零件状态:停产
- FET类型:2 N 沟道(双路降压斩波器)
- FET功能:超级结
- 漏源电压(Vdss):900V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):30A
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):120 毫欧 @ 26A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):270nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):6800pF @ 100V
- 功率-最大值:250W
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:底座安装
- 封装:SP1
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