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- 制造厂商:美高森美
- 类别封装:IGBT模块,SP6
- 技术参数:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6
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APTGF150DH120G 技术参数详情:
- Microsemi美高森美完整型号:APTGF150DH120G
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6
- 系列:-
- IGBT 类型:NPT
- 配置:非对称桥
- 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A
- 功率 - 最大值:961W
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3.7V @ 15V,150A
- 电流 - 集电极截止(最大值):350μA
- 不同 Vce 时的输入电容 (Cies):10.2nF @ 25V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:无
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SP6
- 供应商器件封装:SP6
- APTGF150DH120G优势代理货源,国内领先的美高森美芯片采购服务平台。
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