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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：IGBT模块，SP3
- 技术参数：MOD IGBT 1200V 80A SP3
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APTGL60H120T3G 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APTGL60H120T3G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOD IGBT 1200V 80A SP3
- 系列：-
- IGBT 类型：沟道和场截止
- 配置：全桥
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80A
- 功率 - 最大值：280W
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.25V @ 15V，50A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：250μA
- 不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：2.77nF @ 25V
- 输入：标准
- NTC 热敏电阻：是
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SP3
- 供应商器件封装：SP3
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