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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：D1
- 技术参数：IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
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APTGT100A120D1G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：APTGT100A120D1G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
- 系列：晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态：停产
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 配置：半桥
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：150A
- 功率-最大值：520W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，100A
- 电流-集电极截止（最大值）：3mA
- 不同?Vce时输入电容(Cies)：7nF @ 25V
- 输入：标准
- NTC热敏电阻：无
- 工作温度：-
- 安装类型：底座安装
- 封装：D1
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