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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：IGBT模块，SP6
- 技术参数：IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
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APTGT150DH170G 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APTGT150DH170G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
- 系列：-
- IGBT 类型：沟道和场截止
- 配置：非对称桥
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1700V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：250A
- 功率 - 最大值：890W
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.4V @ 15V，150A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：350μA
- 不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：13.5nF @ 25V
- 输入：标准
- NTC 热敏电阻：无
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SP6
- 供应商器件封装：SP6
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