- 制造厂商:美高森美
- 类别封装:IGBT模块,D3
- 技术参数:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
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APTGT300A120D3G 技术参数详情:
- Microsemi美高森美完整型号:APTGT300A120D3G
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
- 系列:-
- IGBT 类型:沟道和场截止
- 配置:半桥
- 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):440A
- 功率 - 最大值:1250W
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.1V @ 15V,300A
- 电流 - 集电极截止(最大值):8mA
- 不同 Vce 时的输入电容 (Cies):20nF @ 25V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:无
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:D3
- 供应商器件封装:D3
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