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Microsemi
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  • 制造厂商:美高森美
  • 类别封装:IGBT模块,SP6
  • 技术参数:IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP6
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APTGT300A170G 技术参数详情:
  • Microsemi美高森美完整型号:APTGT300A170G
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP6
  • 系列:-
  • IGBT 类型:沟道和场截止
  • 配置:半桥
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):400A
  • 功率 - 最大值:1660W
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V,300A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):750μA
  • 不同 Vce 时的输入电容 (Cies):26.5nF @ 25V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:无
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP6
  • 供应商器件封装:SP6
  • APTGT300A170G优势代理货源,国内领先的美高森美芯片采购服务平台。
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