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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：D1
- 技术参数：IGBT MODULE 1700V 45A 210W D1
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APTGT30A170D1G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：APTGT30A170D1G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT MODULE 1700V 45A 210W D1
- 系列：晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态：停产
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 配置：半桥
- 电压-集射极击穿（最大值）：1700V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：45A
- 功率-最大值：210W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，30A
- 电流-集电极截止（最大值）：3mA
- 不同?Vce时输入电容(Cies)：2.5nF @ 25V
- 输入：标准
- NTC热敏电阻：无
- 工作温度：-
- 安装类型：底座安装
- 封装：D1
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