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  • 制造厂商:美高森美
  • 类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:SP3
  • 技术参数:IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3
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APTGT75DSK60T3G 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:APTGT75DSK60T3G
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3
  • 系列:晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 配置:双路降压斩波器
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):100A
  • 功率-最大值:250W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,75A
  • 电流-集电极截止(最大值):250μA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies):4.62nF @ 25V
  • 输入:标准
  • NTC热敏电阻:是
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:SP3
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