产品参考图片
- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：场效应管模块，SP6
- 技术参数：MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
- 丰富的美高森美公司产品，美高森美芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
APTM100UM45DAG 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APTM100UM45DAG
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
- 系列：POWER MOS 7
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：215A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：52 毫欧 @ 107.5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 30mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1602nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：42700pF @ 25V
- 功率 - 最大值：5000W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SP6
- 供应商器件封装：SP6
- APTM100UM45DAG优势代理货源，国内领先的美高森美芯片采购服务平台。
芯片采购网专注整合国内外授权Microsemi代理的现货资源，轻松采购IC芯片，是国内专业的芯片采购平台