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- 制造厂商:美高森美
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:SP6
- 技术参数:MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
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APTM10TDUM09PG 技术参数详情:
- 制造商产品型号:APTM10TDUM09PG
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:6 N-沟道(3 相桥)
- FET功能:标准
- 漏源电压(Vdss):100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):139A
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):10 毫欧 @ 69.5A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):350nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):9875pF @ 25V
- 功率-最大值:390W
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:底座安装
- 封装:SP6
- APTM10TDUM09PG优势代理货源,国内领先的美高森美芯片采购服务平台。
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