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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SP1
- 技术参数：MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
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APTM120DA68T1G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：APTM120DA68T1G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：1200V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：816 毫欧 @ 12A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：260nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6696pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：357W（Tc）
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 器件封装：SP1
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