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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：场效应管模块，SP6
- 技术参数：MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6
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APTM20HM08FG 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APTM20HM08FG
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6
- 系列：-
- FET 类型：4 个 N 通道（H 桥）
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：200V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：208A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10 毫欧 @ 104A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：280nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14400pF @ 25V
- 功率 - 最大值：781W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SP6
- 供应商器件封装：SP6
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