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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP6
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6
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APTM50DUM19G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：APTM50DUM19G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：500V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：163A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：22.5 毫欧 @ 81.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 10mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：492nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：22400pF @ 25V
- 功率-最大值：1136W
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：SP6
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