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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：FET - 模块，*
- 技术参数：MOSFET N-CH 1200V SP3F
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APTMC120AM09CT3AG 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号: APTMC120AM09CT3AG
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 功能总体简述: MOSFET N-CH 1200V SP3F
- 系列: -
- FET 类型: 2 N 沟道（相角）
- FET 功能: 标准
- 漏源极电压（Vdss）: 1200V（1.2kV）
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 295A
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 9 毫欧 @ 200A，20V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.4V @ 40mA（标准）
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 644nC @ 20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 11000pF @ 1000V
- 功率 - 最大值: 1250W
- 安装类型: *
- 封装/外壳: *
- 供应商器件封装: *
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