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Microsemi
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APTMC120AM20CT1AG 图片
  • 制造厂商:美高森美
  • 类别封装:FET - 模块,*
  • 技术参数:MOSFET N-CH 1200V SP1
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APTMC120AM20CT1AG 技术参数详情:
  • Microsemi美高森美完整型号: APTMC120AM20CT1AG
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 1200V SP1
  • 系列: -
  • FET 类型: 2 N 沟道(相角)
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 1200V(1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 143A
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 17 毫欧 @ 100A,20V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.3V @ 2mA(标准)
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 360nC @ 20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 5960pF @ 1000V
  • 功率 - 最大值: 600W
  • 安装类型: *
  • 封装/外壳: *
  • 供应商器件封装: *
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