- 制造厂商:美高森美
- 类别封装:二极管TVS,G-MELF
- 技术参数:TVS DIODE 6VWM 11VC GSQMELF
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JAN1N6470US 技术参数详情:
- Microsemi美高森美完整型号:JAN1N6470US
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:TVS DIODE 6VWM 11VC GSQMELF
- 系列:军用, MIL-PRF-19500/552
- 类型:齐纳
- 单向通道:1
- 双向通道:-
- 电压 - 反向关态(典型值):6V
- 电压 - 击穿(最小值):6.5V
- 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:11V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs):775A(8/20μs)
- 功率 - 峰值脉冲:1500W (1.5kW)
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时的电容:-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SQ-MELF,G
- 供应商器件封装:G-MELF (D-5C)
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