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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 射频，封装：3-SMD，无引线
- 技术参数：RF TRANS PNP 30V 30MA UB
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JAN2N4957UB 技术参数详情：
- 制造商产品型号：JAN2N4957UB
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：RF TRANS PNP 30V 30MA UB
- 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 零件状态：有源
- 晶体管类型：PNP
- 电压-集射极击穿（最大值）：30V
- 频率-跃迁：-
- 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：3.5dB @ 450MHz
- 增益：25dB
- 功率-最大值：200mW
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：30 @ 5mA，10V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：30mA
- 工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：3-SMD，无引线
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