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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个，封装：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
- 技术参数：NPN TRANSISTOR
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JAN2N5014 技术参数详情：
- 制造商产品型号：JAN2N5014
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：NPN TRANSISTOR
- 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 产品系列：Military, MIL-PRF-19500/727
- 零件状态：停产
- 晶体管类型：NPN
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：200mA
- 电压-集射极击穿（最大值）：900V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：-
- 电流-集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：30 @ 20mA，10V
- 功率-最大值：1W
- 频率-跃迁：-
- 工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
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