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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：二极管TVS，T-18
- 技术参数：TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC T18
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MAP6KE10A 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：MAP6KE10A
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC T18
- 系列：军用， MIL-PRF-19500
- 类型：齐纳
- 单向通道：1
- 双向通道：-
- 电压 - 反向关态（典型值）：8.55V
- 电压 - 击穿（最小值）：9.5V
- 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp：14.5V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)：41A
- 功率 - 峰值脉冲：600W
- 电源线路保护：无
- 应用：通用
- 不同频率时的电容：-
- 工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：T-18，轴向
- 供应商器件封装：T-18
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