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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 射频，封装：微型-X 陶瓷 84C
- 技术参数：RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
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MRF581G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：MRF581G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
- 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 零件状态：停产
- 晶体管类型：NPN
- 电压-集射极击穿（最大值）：18V
- 频率-跃迁：5GHz
- 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
- 增益：13dB ~ 15.5dB
- 功率-最大值：1.25W
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：50 @ 50mA，5V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：200mA
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：微型-X 陶瓷 84C
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