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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 射频，封装：M135
- 技术参数：RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135
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MS1006 技术参数详情：
- 制造商产品型号：MS1006
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135
- 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 零件状态：停产
- 晶体管类型：NPN
- 电压-集射极击穿（最大值）：55V
- 频率-跃迁：30MHz
- 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
- 增益：14dB
- 功率-最大值：127W
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：19 @ 1.4A，6V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：3.25A
- 工作温度：200°C
- 安装类型：接线柱安装
- 封装：M135
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