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- 制造厂商:美高森美
- 类别封装:晶体管(BJT) - 阵列,-
- 技术参数:TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
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SG2823J 技术参数详情:
- Microsemi美高森美完整型号: SG2823J
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 功能总体简述: TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
- 系列: -
- 晶体管类型: 8 NPN 达林顿
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值): 500mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值): 95V
- 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 1.6V @ 500μA,350mA
- 电流 - 集电极截止(最大值): -
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 1000 @ 350mA,2V
- 功率 - 最大值: -
- 频率 - 跃迁: -
- 安装类型: 通孔
- 封装/外壳: -
- 供应商器件封装: 18-CDIP
- SG2823J优势代理货源,国内领先的美高森美芯片采购服务平台。
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