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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：晶体管（BJT） - 阵列，-
- 技术参数：TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
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SG2823J 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号: SG2823J
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 功能总体简述: TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
- 系列: -
- 晶体管类型: 8 NPN 达林顿
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 500mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 95V
- 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 1.6V @ 500μA，350mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）: -
- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 1000 @ 350mA，2V
- 功率 - 最大值: -
- 频率 - 跃迁: -
- 安装类型: 通孔
- 封装/外壳: -
- 供应商器件封装: 18-CDIP
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