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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：二极管TVS，Powermite
- 技术参数：TVS DIODE 33VWM 56.7VC PWRMITE1
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UPT33RE3/TR7 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：UPT33RE3/TR7
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：TVS DIODE 33VWM 56.7VC PWRMITE1
- 系列：-
- 类型：齐纳
- 单向通道：1
- 双向通道：-
- 电压 - 反向关态（典型值）：33V
- 电压 - 击穿（最小值）：36.8V
- 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp：56.7V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)：2.65A
- 功率 - 峰值脉冲：1000W （1kW）
- 电源线路保护：无
- 应用：通用
- 不同频率时的电容：-
- 工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DO-216AA
- 供应商器件封装：Powermite 1（DO216-AA）
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