- 制造厂商:NXP(恩智浦)
- 类别封装:场效应管阵列,SOT-666
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666
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2N7002PV,115 技术参数详情:
- NXP恩智浦完整型号:2N7002PV,115
- 制造商:NXP(恩智浦半导体)
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666
- 系列:-
- FET 类型:2 个 N 沟道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):350mA
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.8nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 10V
- 功率 - 最大值:330mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商器件封装:SOT-666
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