BAS19,215 技术参数详情:
- NXP恩智浦完整型号:BAS19,215
- 制造商:NXP(恩智浦半导体)
- 描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
- 系列:-
- 二极管类型:标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100V
- 电流 - 平均整流 (Io):200mA(DC)
- 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):1.25V @ 200mA
- 速度:小信号 =
- 反向恢复时间 (trr):50ns
- 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 100V
- 不同 Vr、F 时的电容:5pF @ 0V,1MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:SOT-23 (TO-236AB)
- 工作温度 - 结:150°C (最大)
- BAS19,215优势代理货源,国内领先的NXP芯片采购服务平台。