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- 制造厂商：NXP（恩智浦）
- 类别封装：RF场效应管，SOT539A
- 技术参数：MOSF RF DL 110V 8.5A LDMOS
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BLF10H6600PU 技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：BLF10H6600PU
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSF RF DL 110V 8.5A LDMOS
- 系列：-
- 晶体管类型：LDMOS（双）
- 频率：400MHz ~ 1GHz
- 增益：20.8dB
- 电压 - 测试：50V
- 额定电流：8.5A
- 噪声系数：-
- 电流 - 测试：1.3A
- 功率 - 输出：250W
- 电压 - 额定：110V
- 封装/外壳：SOT539A
- 供应商器件封装：SOT539A
- BLF10H6600PU优势代理货源，国内领先的NXP芯片采购服务平台。
