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- 制造厂商：NXP（恩智浦）
- 类别封装：RF场效应管，SOT502B
- 技术参数：TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B
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BLF6G10LS-135RN,11 技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：BLF6G10LS-135RN,11
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B
- 系列：-
- 晶体管类型：LDMOS
- 频率：871.5MHz ~ 891.5MHz
- 增益：21dB
- 电压 - 测试：28V
- 额定电流：32A
- 噪声系数：-
- 电流 - 测试：950mA
- 功率 - 输出：26.5W
- 电压 - 额定：65V
- 封装/外壳：SOT-502B
- 供应商器件封装：SOT502B
- BLF6G10LS-135RN,11优势代理货源，国内领先的NXP芯片采购服务平台。
