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- 制造厂商：NXP（恩智浦）
- 类别封装：RF场效应管，SOT539A
- 技术参数：TRANSISTOR RF POWER 200W LDMOST
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BLF8G24L-200P,112 技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：BLF8G24L-200P,112
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：TRANSISTOR RF POWER 200W LDMOST
- 系列：-
- 晶体管类型：LDMOS（双）
- 频率：2.3GHz ~ 2.4GHz
- 增益：16.5dB
- 电压 - 测试：28V
- 额定电流：-
- 噪声系数：-
- 电流 - 测试：1.4A
- 功率 - 输出：60W
- 电压 - 额定：68V
- 封装/外壳：SOT539A
- 供应商器件封装：SOT539A
- BLF8G24L-200P,112优势代理货源，国内领先的NXP芯片采购服务平台。
