- 制造厂商:NXP(恩智浦)
- 类别封装:RF FET,SOT-1223-2
- 技术参数:POWER LDMOS TRANSISTOR
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BLP05H6350XRY 技术参数详情:
- NXP恩智浦完整型号: BLP05H6350XRY
- 制造商:NXP(恩智浦半导体)
- 功能总体简述: POWER LDMOS TRANSISTOR
- 系列: -
- 晶体管类型: LDMOS(双),共源
- 电压 - 集射极击穿(最大值): -
- 频率: 108MHz
- 增益: 27dB
- 频率 - 跃迁: -
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -
- 电压 - 测试: 50V
- 额定电流: -
- 功率 - 最大值: -
- 噪声系数: -
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): -
- 电流 - 测试: 100mA
- 功率 - 输出: 350W
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值): -
- 安装类型: -
- 电压 - 额定: 135V
- 封装/外壳: SOT-1223-2
- 供应商器件封装:
- BLP05H6350XRY优势代理货源,国内领先的NXP芯片采购服务平台。