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- 制造厂商：NXP（恩智浦）
- 类别封装：RF FET，-
- 技术参数：TRANSISTOR DVR LDMOS 3W 12HVSON
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BLP10H603AZ 技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号: BLP10H603AZ
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 功能总体简述: TRANSISTOR DVR LDMOS 3W 12HVSON
- 系列: *
- 晶体管类型: -
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: -
- 频率: -
- 增益: -
- 频率 - 跃迁: -
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -
- 电压 - 测试: -
- 额定电流: -
- 功率 - 最大值: -
- 噪声系数: -
- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -
- 电流 - 测试: -
- 功率 - 输出: -
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -
- 安装类型: -
- 电压 - 额定: -
- 封装/外壳: -
- 供应商器件封装:
- BLP10H603AZ优势代理货源，国内领先的NXP芯片采购服务平台。
