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- 制造厂商:NXP(恩智浦)
- 类别封装:FET - 单,TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 技术参数:MOSFET P-CH 20V 2A SOT23
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BSH205G2R 技术参数详情:
- NXP恩智浦完整型号: BSH205G2R
- 制造商:NXP(恩智浦半导体)
- 功能总体简述: MOSFET P-CH 20V 2A SOT23
- 系列: -
- FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 功能: 标准
- 漏源极电压(Vdss): 20V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2A(Ta)
- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 170 毫欧 @ 2A,4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 6.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 418pF @ 10V
- 功率 - 最大值: 480mW
- 安装类型: 表面贴装
- 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装: TO-236AB
- BSH205G2R优势代理货源,国内领先的NXP芯片采购服务平台。
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