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- 制造厂商：NXP（恩智浦）
- 类别封装：单端场效应管，SC-73
- 技术参数：MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
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BSP220,115 技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：BSP220,115
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：200V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：225mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12 欧姆 @ 200mA，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：90pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：SC-73
- BSP220,115优势代理货源，国内领先的NXP芯片采购服务平台。
