BSP62,115 技术参数详情:
- NXP恩智浦完整型号:BSP62,115
- 制造商:NXP(恩智浦半导体)
- 描述:TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223
- 系列:-
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):80V
- 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):1.3V @ 500μA, 500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):50nA
- 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V
- 功率 - 最大值:1.25W
- 频率 - 跃迁:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:SC-73
- BSP62,115优势代理货源,国内领先的NXP芯片采购服务平台。