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- 制造厂商:NXP(恩智浦)
- 类别封装:单端场效应管,DPAK
- 技术参数:MOSFET N-CH TRENCH DPAK
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BUK6207-55C,118 技术参数详情:
- NXP恩智浦完整型号:BUK6207-55C,118
- 制造商:NXP(恩智浦半导体)
- 描述:MOSFET N-CH TRENCH DPAK
- 系列:TrenchMOS?
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):55V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):90A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7.8 毫欧 @ 25A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):82nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5160pF @ 25V
- 功率 - 最大值:158W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
- BUK6207-55C,118优势代理货源,国内领先的NXP芯片采购服务平台。
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