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  • 制造厂商:NXP(恩智浦)
  • 类别封装:场效应管阵列,LFPAK56D
  • 技术参数:MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
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BUK7K6R8-40E,115 技术参数详情:
  • NXP恩智浦完整型号:BUK7K6R8-40E,115
  • 制造商:NXP(恩智浦半导体)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
  • 系列:TrenchMOS?
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):40V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):40A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6.8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28.9nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1947pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:64W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-1205, 8-LFPAK56
  • 供应商器件封装:LFPAK56D
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