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- 制造厂商：NXP（恩智浦）
- 类别封装：场效应管阵列，LFPAK56D
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK
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BUK9K8R7-40EX 技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：BUK9K8R7-40EX
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK
- 系列：TrenchMOS?
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：40V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15.7nC @ 5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2110pF @ 25V
- 功率 - 最大值：53W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-1205， 8-LFPAK56
- 供应商器件封装：LFPAK56D
- BUK9K8R7-40EX优势代理货源，国内领先的NXP芯片采购服务平台。
