- 制造厂商:NXP(恩智浦)
- 类别封装:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
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PBLS2002S,115 技术参数详情:
- 制造商产品型号:PBLS2002S,115
- 制造商:NXP(恩智浦半导体)
- 描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
- 系列:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
- 零件状态:停产
- 晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
- 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA,3A
- 电压-集射极击穿(最大值):50V,20V
- 电阻器-基极(R1):4.7 千欧
- 电阻器-发射极(R2):4.7 千欧
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V / 150 @ 2A,2V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 355mV @ 300mA,3A
- 电流-集电极截止(最大值):1μA,100nA
- 频率-跃迁:100MHz
- 功率-最大值:1.5W
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- PBLS2002S,115优势代理货源,国内领先的NXP芯片采购服务平台。