- 制造厂商:NXP(恩智浦)
- 类别封装:阵列﹐预偏压式晶体管,6-TSOP
- 技术参数:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP
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PBLS2021D,115 技术参数详情:
- NXP恩智浦完整型号:PBLS2021D,115
- 制造商:NXP(恩智浦半导体)
- 描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP
- 系列:-
- 晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,1.8A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):50V,20V
- 电阻器 - 基底 (R1) (Ω):2.2k
- 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):2.2k
- 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 20mA,5V / 200 @ 1A,2V
- 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 210mV @ 100mA,1.8A
- 电流 - 集电极截止(最大值):1μA,100nA
- 频率 - 跃迁:130MHz
- 功率 - 最大值:760mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-74,SOT-457
- 供应商器件封装:6-TSOP
- PBLS2021D,115优势代理货源,国内领先的NXP芯片采购服务平台。