PEMH4,115 技术参数详情:
- NXP恩智浦完整型号:PEMH4,115
- 制造商:NXP(恩智浦半导体)
- 描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
- 系列:-
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
- 电阻器 - 基底 (R1) (Ω):10k
- 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):-
- 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 1mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):1μA
- 频率 - 跃迁:-
- 功率 - 最大值:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商器件封装:SOT-666
- PEMH4,115优势代理货源,国内领先的NXP芯片采购服务平台。